mboost-dp1
unknown
Indium er ikke 1000 gange dyrere end silicium, det er blandt andet Indium Gallium Arsenid-materialets giftighed (og relative skrøbelighed) der har hæmmet udbredelsen af det. Gallium Arsenid har været brugt næsten lige så lang tid som silicium på forskningsbasis, og er en såkaldt direct-gap semiconductor, hvilket er af stor betydning for halvlederkomponenter. Lavede iøvrigt min anden GaAs chip for to timer siden!!!
Wow der var en der vidste noget ;-)
Jeg er altid skeptisk når jeg læser en nyhed om mulige fremtidige teknologier. 9 ud af 10 af dem bliver alligevel ikke til noget, enten fordi det for dyrt at fremstille, for farligt eller der slet ikke er en marked for produktet.
Minder mig om en artikel jeg læste for mange år siden om surround sound lavet vha. microbølger. Problemet var bare at man ikke kunne tåle at sidde foran højtalerne. Ellers virkede teknologien ganske godt.
Jeg er altid skeptisk når jeg læser en nyhed om mulige fremtidige teknologier. 9 ud af 10 af dem bliver alligevel ikke til noget, enten fordi det for dyrt at fremstille, for farligt eller der slet ikke er en marked for produktet.
Minder mig om en artikel jeg læste for mange år siden om surround sound lavet vha. microbølger. Problemet var bare at man ikke kunne tåle at sidde foran højtalerne. Ellers virkede teknologien ganske godt.
quote FISKAR_Q:
"Og at en transistor kan operere ved 509GHz betyder ikke at du har en Pentium 4 509GHz."
Jeg er helt enig, men hvad skal vi så bruge nyheden til hvis der ikke er nogle der ved hvad fx en normal transistor arbejder ved? - eller hvad den gamle rekord er?
"Og at en transistor kan operere ved 509GHz betyder ikke at du har en Pentium 4 509GHz."
Jeg er helt enig, men hvad skal vi så bruge nyheden til hvis der ikke er nogle der ved hvad fx en normal transistor arbejder ved? - eller hvad den gamle rekord er?
#13
During the past year, high-speed transistor records have fallen like dominoes on the Illinois campus. In January, Feng’s group announced a transistor with a 150-nanometer collector and a top frequency of 382 gigahertz. In May, the group reported a 452-gigahertz device with a 25-nanometer base and a 100-nanometer collector. Further scaling reduced the collector size to 75 nanometers, resulting in a 509-gigahertz device, announced last month.
During the past year, high-speed transistor records have fallen like dominoes on the Illinois campus. In January, Feng’s group announced a transistor with a 150-nanometer collector and a top frequency of 382 gigahertz. In May, the group reported a 452-gigahertz device with a 25-nanometer base and a 100-nanometer collector. Further scaling reduced the collector size to 75 nanometers, resulting in a 509-gigahertz device, announced last month.
Opret dig som bruger i dag
Det er gratis, og du binder dig ikke til noget.
Når du er oprettet som bruger, får du adgang til en lang række af sidens andre muligheder, såsom at udforme siden efter eget ønske og deltage i diskussionerne.
- Forside
- ⟨
- Forum
- ⟨
- Nyheder
Gå til bund